Inicio Artículos Pseudo-SLC combina las ventajas de las memorias SLC y TLC/MLC La cuadratura...

Pseudo-SLC combina las ventajas de las memorias SLC y TLC/MLC La cuadratura del círculo

Pseudo SLC

Autor: Richard Klauser, Corporate Product Sales Manager Boards & Storage de Rutronik

La misión de combinar larga duración y alto rendimiento con costes bajos es como resolver la cuadratura del círculo. Pero esto es exactamente lo que la tecnología pseudo-SLC hace posible en la memoria flash.

Las cantidades de datos están creciendo exponencialmente en casi todos los sectores – y con ellas la demanda de capacidad de almacenamiento. Las memorias flash de celda de un solo nivel (SLC) son conocidas por aportar mejoras en fiabilidad, velocidades de lectura y escritura y vida útil con respecto a otras tecnologías de memoria. No obstante, las memorias SLC son costosas y tienen una densidad de almacenamiento bajo, lo que hace que sean menos idóneas en aquellas aplicaciones que requieren capacidades de almacenamiento superiores.

Por el otro lado, las memorias flash de celda multinivel (MLC) o de triple nivel (TLC) ofrecen mayor densidad de almacenamiento a un menor coste. Sin embargo, debido a su durabilidad limitada, no están especialmente indicadas para todas las aplicaciones con uso intensivo de memoria. Los modelos pseudo-SLC tienden un puente entre el alto rendimiento y la larga duración de las memorias flash SLC y la elevada densidad y el bajo coste de las memorias MLC/TLC.

Mejoras en densidad de memoria y durabilidad con un menor coste por gigabyte

Para beneficiarse de mejoras en densidad de memoria y durabilidad a un menor coste, la tecnología pSLC, también conocida como  SLC emulada o cuasi SLC, usa algoritmos de programación y niveles de tensión especiales, que modifican el comportamiento de las memorias flash MLC o TLC para imitar las características de las memorias SLC, como más ciclos de escritura/borrado, menores índices de error y mayor rapidez en los tiempos de acceso. Esto se traduce en aumento de la fiabilidad y la durabilidad sin sacrificar la densidad de memoria.

Industrial NAND Flash Type Feature P/E Cycle W/R Speed Price per GB
SLC Single-Level-Cell Up to 60.000 ++++ +
pSLC Pseudo-SLC Up to 100.000 +++ ++
MLC Multi-Level-Cell 3.000 ++ +++
TLC Tri-Level-Cell 3.000 + ++++

Comparación de las tecnologías flash NAND (fuente: Rutronik)

La tabla compara el ciclo de P/E (programación/borrado), las velocidades de W/R (escritura/lectura) y el precio por los parámetros GB de varias tecnologías flash NAND para aplicaciones industriales.

Cambiar de TLC a pSLC es aproximadamente el triple de caro para la misma capacidad de memoria, dado que se requiere el triple de cantidad de memoria flash. Esto hace que pSLC sea significativamente menos costosa que las memorias SLC comparables, que se suelen emplear en aplicaciones con escritura intensiva y condiciones ambientales adversas: cuestan unas diez veces más que las memorias TLC. Por lo tanto, pSLC se convierte en una alternativa atractiva y ofrece el punto óptimo entre memorias TLC de bajo coste y SLC más costosas, combinando una vida útil más larga, un rendimiento excelente y una insensibilidad a la temperatura a una fracción del coste de la verdadera NAND SLC.

Así pues, la tecnología pSLC es una opción prometedora para responder a las demandas cambiantes de los sistemas de almacenamiento modernos. Se utiliza en muchas áreas donde resulta esencial equilibrar el rendimiento y la asequibilidad, como sucede en sistemas embebidos, automatización industrial, el sector de la automoción y soluciones de almacenamiento de datos corporativos.

Con proveedores como Apacer, Swissbit y Transcend en su catálogo, Rutronik ofrece productos pSLC en todos los formatos comunes: tarjetas SD/microSD, tarjetas Compact Flash/CFast/CFExpress, SATA-SSD 2.5/mSATA- SSD/M.2-SATA-SSD (2230/2242/2280)/Slim SATA-SSD, M.2-PCIe-SSD (2230/2242/2280), discos flash USB, módulos USB embebidos, MMC embebida y BGA-PCIe-SSD.