Nuevas incorporaciones a la serie DTMOS VI de última generación con estructura de superunión
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha lanzado una nueva gama de MOSFET de potencia de canal N de 650 V. Los TK042N65Z5 y TK095N65Z5 en encapsulado TO-247 son los primeros productos de tipo diodo de alta velocidad (HSD) de la serie DTMOS VI de última generación. Esta generación tiene una estructura de superunión adecuada para fuentes de alimentación conmutadas en aplicaciones exigentes, como centros de datos y acondicionadores de potencia para generadores fotovoltaicos (FV).
Los dos nuevos MOSFET de potencia utilizan diodos intrínsecos de alta velocidad para mejorar las importantes características de recuperación inversa con el fin de mejorar las aplicaciones de circuitos puente e inversores. En comparación con los productos DTMOS VI estándar, los TK042N65Z5 y TK095N65Z5 consiguen una reducción del 65 % en el tiempo de recuperación inversa (trr) con valores de 160 ns y 115 ns respectivamente. En comparación con los MOSFET estándar de Toshiba, los nuevos productos reducen la carga de recuperación inversa (Qrr) en un 88 % y la corriente de corte de drenaje a altas temperaturas hasta en un 90 % (TK042N65Z5).
Además, la cifra clave de mérito (FoM) de «resistencia de drenaje-fuente On × carga de drenaje-puerta» (RDS(ON) * Qgd) se ha reducido aproximadamente un 72 % en comparación con el actual TK62N60W5 de Toshiba. Estas mejoras significativas reducen las pérdidas de potencia de los equipos, lo que favorece la eficiencia. Por ejemplo, en un circuito LLC de 1,5 kW, el TK042N65Z5 muestra alrededor de un 0,4 % de mejora en la eficiencia de la fuente de alimentación con respecto al anterior TK62N60W5.
Los nuevos TK042N65Z5 y TK095N65Z5 tienen valores de RDS(ON) de 42 mΩ y 95 mΩ, respectivamente. Son capaces de suministrar corrientes de drenaje (ID) de hasta 55 A y 29 A. Ambos dispositivos se alojan en un pequeño encapsulado TO-247.
Ya está disponible un nuevo diseño de referencia para una fuente de alimentación de servidor mejorada de 1,6 kW basada en el nuevo dispositivo TK095N65Z5. Toshiba también ofrece herramientas de diseño de circuitos para fuentes de alimentación conmutadas. Junto con el modelo SPICE G0, que verifica el funcionamiento del circuito en poco tiempo, ya están disponibles los modelos SPICE G2 de alta precisión, que reproducen con exactitud las características transitorias.
Además de los productos DTMOS VI de 650 V y 600 V ya lanzados, Toshiba seguirá ampliando su gama de DTMOS VI con diodos de alta velocidad para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación conmutadas, contribuyendo así al ahorro de energía.
Más información sobre los nuevos MOSFET de potencia de canal N de 650 V en el sitio web de Toshiba.
Los pedidos de ambos componentes ya se pueden ordenar.
