Toshiba amplía la línea de MOSFET U-MOS X-H de potencia de canal N de 150 V para reducir el consumo de energía de las fuentes de alimentación
Las nuevas incorporaciones han mejorado las características de recuperación inversa que son críticas para las aplicaciones de rectificación síncrona.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) añade dos nuevos productos MOSFET de potencia de canal N de 150 V basados en su proceso de zanja U-MOS X-H de última generación. Los dispositivos TPH1100CQ5 y TPH1400CQ5 están diseñados específicamente para su uso en fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento, como las utilizadas en centros de datos y estaciones base de comunicaciones, así como en otras aplicaciones industriales.
Con una tensión máxima de fuente de drenaje (VDSS) de 150 V y una corriente de drenaje (ID) que maneja 49 A (TPH1100CQ5) y 32 A (TPH1400CQ5), los nuevos dispositivos cuentan con una resistencia máxima de conexión de fuente de drenaje (RDS (ON)) de 11 mΩ. y 14 mΩ, respectivamente.
Los nuevos productos ofrecen características mejoradas de recuperación inversa que son críticas en aplicaciones de rectificación síncrona. En el caso del TPH1400CQ5, la carga de recuperación inversa (Qrr) se reduce aproximadamente un 73 % a 27 nC (típ.) y el tiempo de recuperación inversa (trr) de 36 ns (típ.) es aproximadamente un 45 % más rápido en comparación con el TPH1400CQH existente de Toshiba. , que ofrece el mismo voltaje y RDS (ON). Utilizado en aplicaciones de rectificación síncrona, el TPH1400CQ5 reduce la pérdida de energía de las fuentes de alimentación conmutadas y ayuda a mejorar la eficiencia. Si el dispositivo se utiliza en un circuito que no funciona en modo de recuperación inversa, la pérdida de energía es equivalente a la del TPH1400CQH.
Cuando se utilizan en un circuito que opera en modo de recuperación inversa, los nuevos productos reducen los picos de voltaje generados durante la conmutación, lo que ayuda a mejorar las características EMI de los diseños y reduce la necesidad de filtrado externo. Los dispositivos están alojados en un paquete SOP Advance(N) versátil de montaje en superficie que mide solo 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.
Para apoyar a los diseñadores, Toshiba ha desarrollado un modelo G0 SPICE para una verificación rápida de la función del circuito, así como modelos G2 SPICE de alta precisión, para una reproducción precisa de las características transitorias.
Los envíos de los nuevos dispositivos comienzan hoy y Toshiba continuará ampliando su línea de MOSFET de potencia que ayudan a mejorar la eficiencia de los equipos.
Para obtener más información sobre los MOSFET de potencia de canal N de 150 V TPH1100CQ5 y TPH1400CQ5, visite:
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