Los chips MOSFET de SiC de cuarta generación de ROHM se adoptan en tres modelos EV de ZEEKR de Geely

La integración en inversores de tracción amplía la autonomía y mejora el rendimiento

ROHM ha anunciado la adopción de módulos de potencia equipados con chips desnudos MOSFET de SiC de cuarta generación para los inversores de tracción en tres modelos de la marca de vehículos eléctricos ZEEKR de Zhejiang Geely Holding Group (Geely), uno de los 10 principales fabricantes de automóviles del mundo. Desde 2023, estos módulos de potencia se han producido en masa y enviado desde HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd., una empresa conjunta entre ROHM y Zhenghai Group Co., Ltd. a Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co., Ltd, un fabricante de primer nivel de Geely.

Geely y ROHM han estado colaborando desde 2018, comenzando con intercambios técnicos y luego formando una asociación estratégica centrada en dispositivos de energía de SiC en 2021. Esto llevó a la integración de los MOSFET de SiC de ROHM en los inversores de tracción de tres modelos: ZEEKR X, 009 y 001. En cada uno de estos vehículos eléctricos, las soluciones de energía de ROHM centradas en los MOSFET de SiC desempeñan un papel clave en la ampliación de la autonomía y la mejora del rendimiento general.

ROHM está comprometido con el avance de la tecnología de SiC, con planes de lanzar MOSFET de SiC de quinta generación en 2025, al tiempo que acelera la introducción en el mercado de dispositivos de sexta y séptima generación. Además, al ofrecer SiC en varias formas, incluidos chips desnudos, componentes discretos y módulos, ROHM puede promover la adopción generalizada de la tecnología de SiC, contribuyendo a la creación de una sociedad sostenible.

Modelos ZEEKR equipados con EcoSiC™ de ROHM

El ZEEKR X, que cuenta con una potencia máxima superior a los 300 kW y una autonomía de más de 400 km a pesar de ser un SUV compacto, está atrayendo la atención incluso fuera de China debido a su excepcional relación calidad-precio. La minivan 009 cuenta con una cabina inteligente y una gran batería de 140 kWh, logrando una autonomía máxima de 822 km. Y para aquellos que buscan un rendimiento superior, el modelo insignia, 001, ofrece una potencia máxima de más de 400 kW a partir de motores duales con una autonomía de más de 580 km junto con un sistema de control independiente en las cuatro ruedas.

Antecedentes del mercado y EcoSiC™ de ROHM

En los últimos años, ha habido un impulso para desarrollar sistemas eléctricos más compactos, eficientes y livianos para expandir la adopción de vehículos eléctricos de próxima generación (xEV) y lograr objetivos ambientales como la neutralidad de carbono. En el caso de los vehículos eléctricos, en particular, mejorar la eficiencia del inversor de tracción, un elemento clave del sistema de propulsión, es crucial para ampliar la autonomía y reducir el tamaño de la batería de a bordo, lo que aumenta las expectativas en cuanto a los dispositivos de potencia de SiC.

Como primer proveedor del mundo en iniciar la producción en masa de MOSFET de SiC en 2010, ROHM sigue liderando la industria en el desarrollo de tecnología de dispositivos de SiC. Estos dispositivos se comercializan ahora bajo la marca EcoSiC™, que abarca una línea completa que incluye chips desnudos, componentes discretos y módulos. Para obtener más información, visite la página de SiC en el sitio web de ROHM: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices

Marca EcoSiC™

EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC), que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por su rendimiento que supera al silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente tecnologías esenciales para la evolución del SiC, desde los procesos de fabricación y producción de obleas hasta el envasado y los métodos de control de calidad. Al mismo tiempo, ROHM ha establecido un sistema de producción integrado en todo el proceso de fabricación.
EcoSiC™ es una marca comercial o marca registrada de ROHM Co., Ltd.