La cartera ampliada de MOSFET NextPower 80/100V de Nexperia ofrece una mayor flexibilidad de diseño
Optimizado para RDSon bajo, picos bajos y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación
Nexperia anunció hoy que la expansión en curso de su cartera de MOSFET NextPower de 80 V y 100 V continúa a buen ritmo con el lanzamiento de varios dispositivos LFPAK nuevos en tamaños estándar de la industria de 5×6 mm y 8×8 mm. Estos nuevos MOSFET NextPower de 80/100 V están optimizados para RDS (encendido) bajo y Qrr bajo, para ofrecer alta eficiencia y bajos picos en aplicaciones que incluyen servidores, fuentes de alimentación, cargadores rápidos y USB-PD, así como para una amplia gama de telecomunicaciones. , control de motores y otros equipos industriales. Los diseñadores pueden elegir entre una gama de dispositivos de 80 V y 100 V, con RDS (encendido) de 1,8 mΩ a 15 mΩ.
Muchos fabricantes de MOSFET se centran en lograr una alta eficiencia a través de un QG(tot) y un QGD bajos, cuando comparan el rendimiento de conmutación de sus dispositivos con ofertas alternativas. Sin embargo, a través de una extensa investigación, Nexperia ha identificado a Qrr como igual de importante debido a su impacto en los picos y, a su vez, la cantidad de interferencia electromagnética (EMI) generada durante el cambio de dispositivo. Al centrarse en este parámetro, Nexperia ha reducido considerablemente el nivel de picos producidos por sus MOSFET NextPower 80/100 V y, por lo tanto, también ha reducido la cantidad de EMI que producen. Esto brinda beneficios significativos para los usuarios finales al reducir la probabilidad de un costoso rediseño en la última etapa para incluir componentes externos adicionales si su aplicación no supera las pruebas de compatibilidad electromagnética (EMC).
La resistencia de encendido (RDSon) de estos nuevos MOSFET se ha reducido hasta en un 31% en comparación con los dispositivos disponibles actualmente. Nexperia también planea fortalecer aún más su cartera NextPower 80/100 V a finales de este año con el lanzamiento de un MOSFET LFPAK88 adicional que ofrece RDS(on) hasta 1,2 mΩ @ 80 V, además de introducir el CCPAK1212 de alta potencia en la cartera. Para respaldar aún más el diseño y la calificación de estos dispositivos, Nexperia ofrece la disponibilidad de hojas de datos interactivas galardonadas, que brindan a los ingenieros información completa y fácil de usar sobre el comportamiento de los dispositivos.
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