TK024N60Z1 ofrece la resistencia en estado encendido más baja de la serie DTMOSVI de 600 V
Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanzado un MOSFET de potencia de canal N para satisfacer la creciente demanda del mercado de una mayor eficiencia en los circuitos de alimentación. El nuevo TK024N60Z1 utiliza el proceso probado de la serie DTMOSVI 600 V con una estructura super junction para lograr una baja resistencia en estado encendido y reducir las pérdidas de conducción. Entre sus aplicaciones se incluyen servidores en centros de datos, fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales y acondicionadores de energía para generadores fotovoltaicos.
El TK024N60Z1 tiene una resistencia de drenaje-fuente en estado encendido RDS(ON) de 0,024 Ω (máx), que es la más baja de la serie DTMOSVI 600 V. También mejora la eficiencia de la fuente de alimentación, lo que reduce la generación de calor. En combinación con el encapsulado TO-247, que ofrece una alta disipación del calor, el TK024N60Z1 ofrece buenas características de gestión del calor.
Al igual que otros MOSFET de la serie DTMOSVI 600 V, el TK024N60Z1 se beneficia de un diseño y un diseño de puerta y de proceso optimizados. Esto reduce el valor de la resistencia de drenaje-fuente por unidad de área en aproximadamente un 13 %. Y lo que es más importante, la resistencia de drenaje-fuente × carga de puerta-drenaje se reduce aproximadamente un 52 % en comparación con los productos de la serie DTMOSIV-H de generación convencional de Toshiba con el mismo voltaje de drenaje-fuente. Esto significa que la serie DTMOSVI, incluido el TK024N60Z1, ofrece un mejor equilibrio entre la pérdida de conducción y la pérdida de conmutación, lo que ayuda a mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación conmutadas.
Para mejorar aún más la eficiencia de la fuente de alimentación, Toshiba ofrece herramientas que admiten el diseño de circuitos para fuentes de alimentación conmutadas. Entre ellas se incluyen el modelo G0 SPICE, que verifica rápidamente el funcionamiento del circuito, y los modelos G2 SPICE de alta precisión que reproducen las características transitorias.
El MOSFET de potencia de canal N TK024N60Z1 ejemplifica el compromiso de Toshiba de continuar ampliando la serie DTMOSVI y apoyar la conservación de energía mediante la reducción de la pérdida de potencia en las fuentes de alimentación conmutadas.
Obtenga más información sobre el nuevo MOSFET de potencia de canal N en el sitio web de Toshiba: https://toshiba.semiconstorage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK024N60Z1.html
