El TK024N60Z1 ofrece la resistencia de encendido más baja de la serie DTMOSVI de 600 V
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanzado un MOSFET de potencia de canal N para abordar la creciente demanda del mercado de una mayor eficiencia en los circuitos de suministro de energía. El nuevo TK024N60Z1 utiliza el probado proceso de la serie DTMOSVI de 600 V con una estructura de superunión para lograr una baja resistencia de encendido y pérdidas de conducción reducidas. Las aplicaciones incluyen servidores en centros de datos, fuentes de alimentación de modo conmutado para equipos industriales y acondicionadores de energía para generadores fotovoltaicos.
El TK024N60Z1 tiene una resistencia de encendido de drenador-fuente RDS(ON) de 0,024 Ω (máx.), que es la más baja de la serie DTMOSVI 600V. También mejora la eficiencia de la fuente de alimentación, lo que reduce la generación de calor. Combinado con el encapsulado TO-247, que ofrece una alta disipación de calor, el TK024N60Z1 ofrece buenas características de gestión del calor.
Al igual que otros MOSFET de la serie DTMOSVI 600V, el TK024N60Z1 se beneficia de un diseño y un proceso de compuerta optimizados. Esto reduce el valor de la resistencia de encendido de drenador-fuente por unidad de área en aproximadamente un 13 %. Más importante aún, la resistencia de encendido de drenador-fuente × carga de compuerta-drenaje se reduce aproximadamente en un 52 % en comparación con los productos de la serie DTMOSIV-H de generación convencional de Toshiba con la misma clasificación de voltaje de drenador-fuente. Esto significa que la serie DTMOSVI, incluido el TK024N60Z1, ofrece un mejor equilibrio entre la pérdida de conducción y la pérdida de conmutación, lo que ayuda a mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación de modo conmutado.
Para mejorar aún más la eficiencia de la fuente de alimentación, Toshiba ofrece herramientas que respaldan el diseño de circuitos para fuentes de alimentación de modo conmutado. Estas incluyen el modelo G0 SPICE, que verifica rápidamente la función del circuito, y los modelos G2 SPICE de alta precisión que reproducen características transitorias.
El MOSFET de potencia de canal N TK024N60Z1 ejemplifica el compromiso de Toshiba de continuar expandiendo la serie DTMOSVI y respaldar la conservación de energía al reducir la pérdida de energía en las fuentes de alimentación de modo conmutado.
Obtenga más información sobre el nuevo MOSFET de potencia de canal N en el sitio web de Toshiba:
