Toshiba amplía su gama de MOSFET U-MOS X-H de potencia de canal N de 150 V para reducir el consumo de las fuentes de alimentación
Las nuevas incorporaciones han mejorado las características de recuperación inversa que son críticas para las aplicaciones de rectificación síncrona
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») añade dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 150 V basados en su proceso U-MOS X-H Trench de última generación. Los dispositivos TPH1100CQ5 y TPH1400CQ5 están diseñados específicamente para su uso en fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento, como las utilizadas en centros de datos y estaciones base de comunicaciones, así como en otras aplicaciones industriales.
Con una tensión de drenaje-fuente (VDSS) máxima de 150 V y una corriente de drenaje (ID) de 49 A (TPH1100CQ5) y 32 A (TPH1400CQ5), los nuevos dispositivos presentan una resistencia de drenaje-fuente (RDS(ON)) máxima de 11 mΩ y 14 mΩ, respectivamente.
Los nuevos componentes ofrecen características de recuperación inversa mejoradas que son críticas en aplicaciones de rectificación síncrona. En el caso del TPH1400CQ5, la carga de recuperación inversa (Qrr) se reduce aproximadamente un 73 % hasta 27 nC (típ.) y el tiempo de recuperación inversa (Qrr) de 36 ns (típ.) es aproximadamente un 45 % más rápido en comparación con el TPH1400CQH existente de Toshiba, que ofrece la misma tensión y RDS(ON). Utilizado en aplicaciones de rectificación síncrona, el TPH1400CQ5 reduce la pérdida de potencia de las fuentes de alimentación conmutadas y ayuda a mejorar la eficiencia. Si el dispositivo se utiliza en un circuito que no funciona en modo de recuperación inversa, la pérdida de potencia es equivalente a la del TPH1400CQH.
Cuando se utilizan en un circuito que funciona en modo de recuperación inversa, los nuevos productos reducen los picos de tensión generados durante la conmutación, ayudando a mejorar las características EMI de los diseños y reduciendo la necesidad de filtrado externo. Los dispositivos se alojan en un versátil encapsulado SOP Advance(N) de montaje superficial que mide sólo 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.
Para ayudar a los diseñadores, Toshiba ha desarrollado un modelo SPICE G0 para una rápida verificación de la función del circuito, así como modelos SPICE G2 de gran precisión, para una reproducción exacta de las características transitorias.
Los envíos de los nuevos componentes comienzan hoy, y Toshiba seguirá ampliando su gama de MOSFET de potencia que ayudan a mejorar la eficiencia de los equipos.
Para obtener más información sobre los MOSFET de potencia de canal N de 150 V TPH1100CQ5 y TPH1400CQ5, visite la página web de Toshiba.
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